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参数资料
| 型号： | 1SS365(EH)TB |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.035 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 1SS365(EH)TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS375(FH)TL | 0.035 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4985 | 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N3563 | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N958A-1 | 7.5 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
| 1N958B-1 | 7.5 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SS366 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:VHF, UHF Detector and Mixer Applications |
| 1SS366-TB-E | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
| 1SS367 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 1SS367(TPH3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode,SBD,Vr=10V,Io=100mA,USC 制造商:Toshiba 功能描述:Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 2-Pin USC T/R |
| 1SS367,H3F | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 |
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