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参数资料
| 型号： | 1SS41HE |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1SS41HE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS41HO | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS41T-11A | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS41T-12A | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS41T-73 | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS41T-87 | 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1SS420 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Vr=30V Io=0.2A 2Pin RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1SS420(TPL3,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode,SBD,Vr=30V,Io=200mA,ESC |
| 1SS420_05 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High-Speed Switching Applications |
| 1SS420CT | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Speed Switching Applications |
| 1SS420PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.15 Ampere |
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