型号: | 1T250A-3M |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | HF-UHF BAND, 100 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
封装: | MSI-123, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 77K |
代理商: | 1T250A-3M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N4002GP | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N4006GP | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
11DF2TR | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
1.5KE130CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5KE33 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1T2810NKE01U24491 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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1T2G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
1T2G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
1T2G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 1A 2-Pin TS-1 T/R |