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参数资料
| 型号： | 1T417 |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | PLASTIC, M-290, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 1T417 |
SONY CODE
EIAJ CODE
JEDEC CODE
PACKAGE MATERIAL
LEAD TREATMENT
LEAD MATERIAL
PACKAGE WEIGHT
EPOXY RESIN
SOLDER PLATING
COPPER
b
1
.7
±
0
.1
1
0
°
M
A
X
c
0.8 ± 0.1
10° MAX
0
.7
±
0
.1
c
b
0.11 ± 0.005
0.3 ± 0.025
BASE METAL
0.11 – 0.01
0.3 – 0.02
WITH PLATING
+ 0.05
M-290
0
.2
±
0
.0
5
0.002g
M-290
1
.3
±
0
.1
M
A
0
.2
A
Package Outline
Unit : mm
1T417
—4—
Mark
X7
1
2
1 : Cathode
2 : Anode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1U4 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1W02 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1W06 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1W10 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1Z10TPA1 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1T420NK012U36567 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| 1T4771NKE01U24835 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| 1T4G | 功能描述:整流器 1A,400V,Std GLASS Pass Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1T4G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1T4G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
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