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参数资料
| 型号： | 1T7G |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GREEN, MINIATURE, PLASTIC, TS-1, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | 1T7G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T33A | SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T33C-T7 | 38 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T359 | VHF-UHF BAND, 29.5 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T369 | 43.4 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T399 | 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1T7G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1T7G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1T7G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R |
| 1T7G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1TAG0302818 | 制造商:LG Corporation 功能描述:OVAL HEAD TAPPING SCREW + 1 |
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