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参数资料
| 型号： | 1ZB11TPA3 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1ZB11TPA3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1ZB11 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1ZB150TPA3 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1ZB150 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1ZB15TPA2 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1ZB15TPA3 | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1ZB12 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:ZENER DIODES |
| 1ZB12(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Diode Zener Single 12V 10% 1W 2-Pin DO-41SS |
| 1ZB120 | 制造商:LUGUANG 制造商全称:Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 功能描述:Zener Diodes |
| 1ZB13 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:ZENER DIODES |
| 1ZB13(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode Zener Single 13V 10% 1W 2-Pin DO-41SS |
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