2N3500L

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 150V 0.3A 3PIN TO-5 - Bulk

2N3500L 技术参数

2N3500 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39（TO-205AD）标准包装:1 2N3499L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3499 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39（TO-205AD）标准包装:1 2N3498L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3498 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39（TO-205AD）标准包装:1 2N3507L 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663