2N6660JANTXV

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说明
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2N6660JANTXV
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4500
VISHAY
TO-205AD
13+
-
原装正品，现货库存。

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制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

2N6660JANTXV 技术参数

2N6660-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:100 2N6660-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:20 2N6660 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:410mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N6650 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6649 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714