2N6661CSM4-JQR-B.01

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " 2N6661CSM4-JQR-B.01 " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2N6661-E3 2N6661JAN02 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G

2N6661CSM4-JQR-B.01 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N6661CSM4-JQR-B.01 技术参数

2N6661-2 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:20 2N6661 功能描述:MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N6660JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:20 2N6660JTXP02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:20 2N6660JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:20 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729