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2N6798

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

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  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市安博威科技有限公司
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  • 北京力通科信电子有限公司
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  • Trans MOSFET N-CH 200V 22A 3-Pin TO-39
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  • TRANS MOSFET N-CH 200V 5.5A 3PIN TO-39 - Bulk
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  • N CH MOSFET 200V 5.5A TO-205AF
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  • N CH MOSFET, 200V, 5.5A, TO-205AF
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  • N CH MOSFET, 200V, 5.5A, TO-205AF; Transistor Polarity
2N6798 技术参数
  • 2N6796U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:18-ULCC(9.14x7.49) 标准包装:1 2N6796 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AF 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6790U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 2.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:18-ULCC(9.14x7.49) 标准包装:1 2N6790 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 2.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AF 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6788U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:18-ULCC(9.14x7.49) 标准包装:1 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z
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