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2N697A

配单专家企业名单
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  • 2N697A
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9331

  • MOT

  • CAN

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  • 绝对公司原装现货

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • 2N697A
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 2N697A
    2N697A

    2N697A

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

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  • CAN

  • 08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品,质量保障

  • 2N697A
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • CENTRAL S

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT NPN Med Pwr
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2N697A 技术参数
  • 2N697 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N696S 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N696 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6901 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.69A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 1.07A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:8.33W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AF 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 4.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:18-ULCC(9.14x7.49) 标准包装:1 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG 2N7000RLRPG 2N7000TA 2N7002 2N7002 BK
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