2N7002BKV,115全国供应商【买卖IC网】2N7002BKV,115资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N7002BKV,115
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
20486
Nexperia
原厂原装
21+
-
原厂原装现货

2N7002BKV,115
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
30000
VISHAY
原厂封装
2023+
-
进口原装假一赔十

2N7002BKV,115
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
SOT-666
17+
-
全新原装现货

2N7002BKV,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-666
18+
-
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...

2N7002BKV,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
NXP
SOT-563
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

2N7002BKV,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

2N7002BKV,115
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT666
刚到货
-
代理可含税开票

2N7002BKV,115
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT666
15+
-
原装正品，价格优势！

2N7002BKV,115
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
12500
nxp
sot666
2017+pb
-
原装现货

2N7002BKV,115
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

2N7002BKV,115
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

2N7002BKV,115
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
4000
NEXPERIA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共23条
1

您是不是要找： 2N7002BKVL 2N7002BKW,115 2N7002CK,215 2N7002CKVL 2N7002-D87Z 2N7002DW 2N7002DW L6327 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F

2N7002BKV,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N7002BKV,115 PDF下载

功能描述
MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

2N7002BKV,115 技术参数

2N7002BKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:290mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:260mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 2N7002BKS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:1.04W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 2N7002BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:295mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 2N7002BKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 450mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 2N7002BKM,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF