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2N7002BKS/ZLX

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  • 2N7002BKS/ZLX
    2N7002BKS/ZLX

    2N7002BKS/ZLX

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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2N7002BKS/ZLX PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 停產
  • FET 类型
  • 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能
  • 逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 300mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 0.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 50pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 1.04W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装
  • SOT-363
  • 标准包装
  • 3,000
2N7002BKS/ZLX 技术参数
  • 2N7002BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:295mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 2N7002BKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 450mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-DFN1006B(0.6x1) 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 2N7002BKM,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101,SOT-883 标准包装:1 2N7002BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):370mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2
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