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2N7002,235

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2N7002,235
    2N7002,235

    2N7002,235

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT23

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • 2N7002,235
    2N7002,235

    2N7002,235

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人:

    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 38000

  • Nexpe原装正品

  • SOT23

  • 19+

  • -
  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
2N7002,235 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 300mA(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 50pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 830mW(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 5 欧姆 @ 500mA,10V
  • 工作温度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • TO-236AB
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 标准包装
  • 10,000
2N7002,235 技术参数
  • 2N7002,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 2N7002 TR13 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2N7002 TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115 2N7002BKV,115 2N7002BKVL 2N7002BKW,115 2N7002CK,215 2N7002CKVL 2N7002-D87Z 2N7002DW 2N7002DW L6327 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1
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