2N6661JANTXV

配单专家企业名单

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说明
操作

2N6661JANTXV
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4500
VISHAY
to-39
13+
-
原装正品，现货库存。

2N6661JANTXV
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
12
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

2N6661JANTXV
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
11
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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1

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制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

2N6661JANTXV 技术参数

2N6661JAN02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:20 2N6661-E3 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 2N6661-2 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:20 2N6661 功能描述:MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N6660JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-205AF（TO-39）标准包装:20 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758