2N6671.

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2N6671. 技术参数

2N6671 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6668 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:盒零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:20MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:400 2N6667G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6667 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6661JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:90V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:20 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1 2N6768 2N6768T1 2N6770