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2N6672G

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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2N6672G 技术参数
  • 2N6672 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6671 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6668 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:盒 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:20MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:400 2N6667G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6667 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1 2N6768 2N6768T1 2N6770 2N6770T1
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