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2SA1309A0A

配单专家企业名单
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  • 2SA1309A0A
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • PANASONIC

  • 标准封装

  • 07/08+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SA1309A0A
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    资质:营业执照

  • 4000

  • PANASONIC

  • 标准封装

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  • 功能描述
  • TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SA1309A0A 技术参数
  • 2SA1303 功能描述:TRANS PNP 150V 14A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5A,4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,020 2SA1298-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1295 功能描述:TRANS PNP 230V 17A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:35MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SA1294 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5A,4V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:35MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1244-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1A,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A 2SA1407E 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H 2SA1419T-TD-E 2SA1419T-TD-H
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