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2SA2119TGP

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2SA2119TGP 技术参数

2SA2119KT146 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SOT346 SMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:260MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SA2112-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 3A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:390MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA2099 功能描述:TRANS PNP 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SA2094TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SA2093TV2Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A 3PIN ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:310MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-H 2SA2127 2SA2127-AE 2SA21400P 2SA21400Q 2SA2151 2SA2151A 2SA2153-TD-E 2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2161G0L 2SA2161J0L 2SA216200L 2SA2162G0L 2SA216300A 2SA216400L