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2SA2125TDE

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2SA2125TDE 技术参数
  • 2SA2125-S-TD-H 功能描述:TRANS PNP 50V 3A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:390MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA2125-S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:390MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA2124-TD-E 功能描述:TRANS PNP 30V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA2124-S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 30V 2A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA2119KT146 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SOT346 SMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:260MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SA21400P 2SA21400Q 2SA2151 2SA2151A 2SA2153-TD-E 2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2161G0L 2SA2161J0L 2SA216200L 2SA2162G0L 2SA216300A 2SA216400L 2SA2169-E 2SA2169-TL-E 2SA2174G0L 2SA2174J0L
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