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2SAR533PFRAT100

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2SAR533PFRAT100 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101
  • 零件状态
  • 在售
  • 晶体管类型
  • PNP
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 3A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 50V
  • 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
  • 400mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
  • 120 @ 50mA,3V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 频率 - 跃迁
  • 300MHz
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-243AA
  • 供应商器件封装
  • MPT3
  • 标准包装
  • 1
2SAR533PFRAT100 技术参数
  • 2SAR533P5T100 功能描述:PNP -50V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SAR523EBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SAR522UBTL 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1 2SAR586D3TL1 2SASL
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