2SAR542PFRAT100

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批号
价格
说明
操作

2SAR542PFRAT100
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
28722
ROHM
原厂原装
21+
-
原厂原装现货

2SAR542PFRAT100
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4011
ROHM
SOT89
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
制造商
rohm semiconductor
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
5A
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
400mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
500mW
频率 - 跃迁
240MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
MPT3
标准包装
1

2SAR542PFRAT100 技术参数

2SAR542F3TR 功能描述:TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-UDFN，裸露焊盘供应商器件封装:HUML2020L3 标准包装:1 2SAR533PT100 功能描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR533PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR533P5T100 功能描述:PNP -50V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1 2SAR586D3TL1 2SASL 2SB06210RA 2SB0621ARA 2SB0709A0L