2SB1237-TV2-R

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2SB1237-TV2-R 技术参数

2SB1237TV2R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1237TV2Q 功能描述:TRANS PNP 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1237TV2P 功能描述:TRANS PNP 32V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1236TV2R 功能描述:TRANS PNP 120V 1.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1236TV2Q 功能描述:TRANS PNP 120V 1.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1243TV2P 2SB1243TV2Q 2SB1243TV2R 2SB12520Q 2SB1257 2SB1258 2SB1259 2SB1260T100P 2SB1260T100Q 2SB1260T100R 2SB1274R 2SB1274S 2SB1275TLP 2SB12990P 2SB1302S-TD-E 2SB1302T-TD-E 2SB1308T100P 2SB1308T100Q