2SC5277A-2-TL-E

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说明
操作

2SC5277A-2-TL-E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
SMCP
17+
-
全新原装现货

2SC5277A-2-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

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您是不是要找： 2SC5287 2SC5291S-AY 2SC5336-AZ 2SC5336-T1-AZ 2SC5337-AZ 2SC5338-AZ 2SC5338-T1-AZ 2SC5347AE-TD-E 2SC5347AF-TD-E

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SC5277A-2-TL-E 技术参数

2SC5245A-4-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO UHF-LNA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 2SC5242RTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC5242OTU 功能描述:TRANS NPN 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC5242-O(Q) 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P（N）标准包装:50 2SC5233BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC536300L 2SC536NF-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT 2SC5374A-TL-E 2SC5414AE 2SC5414AE-AA 2SC5414AF 2SC5414AF-AA 2SC5415AE-TD-E 2SC5415AF-TD-E 2SC54190RA 2SC5439(F) 2SC5454-A 2SC5454-T1-A 2SC5455-A 2SC5455-T1-A 2SC5459(TOJS,Q,M) 2SC5488A-TL-H