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2SCR523EB TL

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
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2SCR523EB TL 技术参数
  • 2SCR522UBTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:3,000 2SCR522MT2L 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SCR522EBTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SCR514RTL 功能描述:TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 15mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SCR514PT100 功能描述:TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 15mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR543DTL 2SCR543RTL 2SCR544P5T100 2SCR544PFRAT100 2SCR544PT100 2SCR544RTL 2SCR552P5T100 2SCR552PFRAT100 2SCR552PT100 2SCR553P5T100 2SCR553PFRAT100 2SCR553PT100 2SCR554P5T100 2SCR554PFRAT100 2SCR554PT100 2SCR554RTL 2SCR572D3TL1 2SCR573D3TL1
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