2SCR573D3TL1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SCR573D3TL1
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
12500
ROHM/罗姆
TO252
2025+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

2SCR573D3TL1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
33
ROHM
con
24+
-
晶体管

2SCR573D3TL1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
33
ROHM
con
24+
-
晶体管

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功能描述
POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
制造商
rohm semiconductor
系列
-
零件状态
在售
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
350mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
180 @ 100mA，3V
功率 - 最大值
10W
频率 - 跃迁
320MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252
标准包装
1

2SCR573D3TL1 技术参数

2SCR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 2SCR554RTL 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SCR554PT100 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR554PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR554P5T100 功能描述:NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD0602A0L 2SD0602AQL 2SD0602ARL 2SD0602ASL 2SD0814ARL 2SD0814ASL 2SD08740RL 2SD0874A0L 2SD0874GRL 2SD08750RL 2SD08750SL 2SD0875GSL 2SD0946AR 2SD0946B 2SD09650RA 2SD09660Q 2SD09660R 2SD0968A0L