2SD1060R-1EX

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
BIP NPN 5A 50V - Ammo Pack

2SD1060R-1EX 技术参数

2SD1060R-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1048-7-TB-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SD1048-6-TB-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SD1047P-E 功能描述:TRANS NPN 140V 12A TO-3PB 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:120W 频率 - 跃迁:15MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SD1047 功能描述:TRANS NPN 140V 12A TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1A，5V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SD1207S 2SD1207S-AE 2SD1207T 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P