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2SD1207T

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • ON Semiconductor

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • TO92L

  • 23+

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 原厂

  • 原厂封装

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  • 原装正品,假一罚十

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

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  • 全新原装现货供应

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  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 8000

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  • 原装现货

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • TO-92

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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD1207T 技术参数
  • 2SD1207S-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 供应商器件封装:3-MP 标准包装:1 2SD1207S 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:3-MP 标准包装:500 2SD11990S 功能描述:TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):600 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:M-A1 标准包装:500 2SD11490SL 功能描述:TRANS NPN 100V 0.02A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):600 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD11490RL 功能描述:TRANS NPN 100V 0.02A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA
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