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2SD2010T105P

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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2SD2010T105P 技术参数
  • 2SD20000P 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1A,4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-A1 标准包装:500 2SD19960TA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD19960SA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD19960RA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1994ASA 功能描述:TRANS NPN 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):170 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M 2SD2129,LS4ALPSQ(M 2SD21330RA 2SD21330SA 2SD21340RA
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