2SJ438,MDKQ(J

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2SJ438,MDKQ(J
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
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Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET P-CH
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
*
包装
散装
零件状态
停產
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220NIS
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1

2SJ438,MDKQ(J 技术参数

2SJ438(CANO,Q,M) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1 2SJ438(CANO,A,Q) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1 2SJ438(AISIN,Q,M) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1 2SJ438(AISIN,A,Q) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1 2SJ380(F) 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL