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2SK2231(TE16L)

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    2SK2231(TE16L)

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 38

  • TOSHIBA

  • 1997

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 2SK2231(TE16L)
    2SK2231(TE16L)

    2SK2231(TE16L)

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 25094

  • TOSHIBA/东芝

  • SOT-252

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

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  • 1
2SK2231(TE16L) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK2231(TE16L) 技术参数
  • 2SK2225-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 1A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):984.7pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标准包装:1 2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F)
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