2N6505

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功能描述
SCR 100V 25A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大转折电流 IBO
480 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态 RMS 电流 (It RMS)
正向电压下降
1.6 V
栅触发电压 (Vgt)
1.3 V
最大栅极峰值反向电压
5 V
栅触发电流 (Igt)
35 mA
保持电流（Ih 最大值）
75 mA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube

2N6505 技术参数

2N6504G 功能描述:THYRISTOR SCR 25A 50V TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:50V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:16A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:40mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 2N6502 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N6497G 功能描述:TRANS NPN 250V 5A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2.5A，10V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6497 功能描述:TRANS NPN 250V 5A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2.5A，10V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6491G 功能描述:TRANS PNP 80V 15A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 5A，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 5A，4V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6515 2N6515RLRM 2N6515RLRMG 2N6517 2N6517BU 2N6517CBU 2N6517CTA 2N6517G 2N6517RLRA 2N6517RLRAG 2N6517RLRP 2N6517RLRPG 2N6517TA 2N6518BU 2N6518TA 2N6519BU 2N6519TA 2N6520