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参数资料
| 型号： | 20MT120UF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MTP, 16 PIN |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 696K |
| 代理商： | 20MT120UF |
20MT120UF
I27124 rev. D 02/03
Fig 23. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
Fig 24. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
herm
a
lR
es
pons
e
(Z
th
JC
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
The
rma
lR
e
sp
on
se
(
Z
thJC
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.161
0.000759
0.210
0.017991
0.147
0.06094
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
Ci= i
/Ri
Ci=
τi/Ri
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.238
0.001017
0.312
0.033081
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τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
Ci= i
/Ri
Ci=
τi/Ri
Document Number: 93588
www.vishay.com
10
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PDF描述 |
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