参数资料
| 型号： | 23A640-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1442 (CN2011-ZH PDF) |
23A640/23K640
FIGURE 2-6:
CS
SEQUENTIAL WRITE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
Data Byte 1
SI
0
0
0
0
0
0 1
0 15 14 13 12
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
CS
3 2 33 3 4 35 36 37 38 39 4 0 4 1 4 2 43 44 45 46 47
SCK
Data Byte 2
Data Byte 3
Data Byte n
SI
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
? 2009 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22126B-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC35DRAS-S734 | CONN EDGECARD 70POS .100 R/A PCB |
| GSC60DRAN-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A SLD |
| GMC60DRAN-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A SLD |
| GSC60DRAH-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A SLD |
| GMC60DRAH-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 23A640T-E/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23A640T-E/SN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23A640T-E/ST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23A640T-I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23A640T-I/SN | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。