参数资料
| 型号： | 23K256-E/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8DIP |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
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23A256/23K256
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): T A = -40°C to +85°C
Automotive (E): T A = -40°C to +125°C
Param.
No.
14
15
16
17
18
Sym.
T DIS
T HS
T HH
T HZ
T HV
Characteristic
Output disable time
HOLD setup time
HOLD hold time
HOLD low to output High-Z
HOLD high to output valid
Min.
—
—
—
—
10
10
10
—
Max.
20
20
20
20
—
—
—
50
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Test Conditions
V CC ?? 1.5V (I-Temp)
V CC ?? 1.8V (I-Temp)
V CC ?? 3.0V (E-Temp)
V CC ?? 3.0V (I-Temp)
—
—
—
—
Note 1:
This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
TABLE 1-3:
AC Waveform:
AC TEST CONDITIONS
Input pulse level
Input rise/fall time
Operating temperature
C L = 100 pF
0.1 V CC to 0.9 V CC
5 ns
-40°C to +125°C
—
Timing Measurement Reference Level:
Input
Output
DS22100F-page 4
0.5 V CC
0.5 V CC
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 23K256-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND |
| 23K256-I/SN | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 23K256-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND |
| 23K256-I/ST | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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