参数资料
型号: 23K256-E/ST
厂商: Microchip Technology
文件页数: 21/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP
产品培训模块: 23x640 and 23x256 SRAM Overview
标准包装: 100
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 20MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 管件
23A256/23K256
APPENDIX A:
REVISION HISTORY
Revision A (11/2008)
Original Release.
Revision B (12/2008)
Updates; Table 1-1, add Param. D011.
Revision C (01/2009)
Revised Section 2.5: Added a paragraph.
Revision D (04/2009)
Removed Preliminary status; Revised Standby
Current; Revised Table 1-1, Param. No. D009; Revised
TSSOP Package marking; Revised Product ID.
Revision E (08/2010)
Revised Table 1-1, Param. No. D009; Revised
Package Drawings.
Revision F (10/2011)
Revised Parameter D003 in Table 1-1: DC Character-
istics.
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
DS22100F-page 21
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PDF描述
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参数描述
23K256-I/P 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
23K256-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND
23K256-I/SN 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
23K256-I/SN 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND
23K256-I/ST 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray