参数资料
| 型号： | 23K256T-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 24/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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23X256
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DS22100F-page 24
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25WF020-40-5I-QAE | IC FLASH SER 2MB 40MHZ SPI 8WSON |
| XCV200E-7FG456C | IC FPGA 1.8V C-TEMP 456-FBGA |
| 23K256-E/SN | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| XCV200E-6FG456I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 456-FBGA |
| XC4VLX15-11SF363I | IC FPGA VIRTEX-4LX 363FCBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 23K256T-I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23K256T-I/SN | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 23K256T-I/ST | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 23K3577 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:CAPACITOR 16V 10000UF 105C HI TEMP,RADIAL18D X 35.5L MM |
| 23K3638 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:CAPACITOR 35V 47UF 105CHIGH TEMP,RADIAL (5D X 11L MM) |
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