参数资料
| 型号： | 23K256T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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23A256/23K256
2.5
Read Status Register Instruction
( RDSR )
The mode bits indicate the operating mode of the
SRAM. The possible modes of operation are:
The Read Status Register instruction ( RDSR ) provides
access to the STATUS register. The STATUS register
may be read at any time. The STATUS register is
formatted as follows:
0 0 = Byte mode (default operation)
1 0 = Page mode
0 1 = Sequential mode
1 1 = Reserved
TABLE 2-2:
7 6
W/R W/R
STATUS REGISTER
5 4 3 2 1
– – – – –
0
W/R
Write and read commands are shown in Figure 2-7 and
Figure 2-8 .
The HOLD bit enables the Hold pin functionality. It must
be set to a ‘ 0 ’ before HOLD pin is brought low for HOLD
MODE MODE
0
0
0
0
0
HOLD
function to work properly. Setting HOLD to ‘ 1 ’ disables
W/R = writable/readable.
feature.
Bits 1 through 5 are reserved and should always be set
to ‘ 0 ’.
See Figure 2-7 for the RDSR timing sequence.
FIGURE 2-7:
CS
READ STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( RDSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
SO
High-Impedance
7
Data from STATUS Register
6 5 4 3 2
1
0
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
DS22100F-page 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMC65DRYS-S734 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 23K640 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
| 23K640-E/P | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 EXT RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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