参数资料
| 型号： | 23K640T-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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23A640/23K640
TABLE 2-1:
INSTRUCTION SET
Instruction Name
READ
WRITE
RDSR
WRSR
Instruction Format
0000 0011
0000 0010
0000 0101
0000 0001
Description
Read data from memory array beginning at selected address
Write data to memory array beginning at selected address
Read STATUS register
Write STATUS register
FIGURE 2-1:
CS
BYTE READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 15 14 13 12
2
1
0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
FIGURE 2-2:
CS
BYTE WRITE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
Data Byte
SI
0
0
0
0
0
0
1
0 15 14 13 12
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
DS22126E-page 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 23K640-E/SN | IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 23K640T-I/SN | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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