参数资料
型号: 23K640T-E/ST
厂商: Microchip Technology
文件页数: 12/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8TSSOP
产品培训模块: 23x640 and 23x256 SRAM Overview
标准包装: 2,500
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM
存储容量: 64K (8K x 8)
速度: 20MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
23A640/23K640
2.6
Write Status Register Instruction
( WRSR )
The Write Status Register instruction ( WRSR ) allows the
user to write to the bits in the STATUS register as
shown in Table 2-2 . This allows for setting of the Device
operating mode. Several of the bits in the STATUS
register must be cleared to ‘ 0 ’. See Figure 2-8 for the
WRSR timing sequence.
FIGURE 2-8:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS Register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
2.7
Power-On State
The 23X640 powers on in the following state:
? The device is in low-power Standby mode
(CS = 1 )
? A high-to-low-level transition on CS is required to
enter active state
DS22126E-page 12
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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23K640-E/ST IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8TSSOP
SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8SOIC
XC2S400E-6FGG456C IC SPARTAN-IIE FPGA 400K 456FBGA
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