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参数资料
型号： 24AA1026-I/P
厂商： Microchip Technology
文件页数： 1/28页
文件大小： 0K
描述： IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-DIP
标准包装： 60
格式 - 存储器： EEPROMs - 串行
存储器类型： EEPROM
存储容量： 1M (128K x 8)
速度： 100kHz，400kHz
接口： I²C，2 线串口
电源电压： 1.7 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装： 8-PDIP
包装： 管件
24AA1026/24LC1026/24FC1026
1024K I 2 C ? Serial EEPROM
Device Selection Table:
Part V CC Max. Clock
Number Range Frequency
24AA1026 1.7-5.5V 400 kHz ?
24LC1026 2.5-5.5V 400 kHz*
24FC1026 1.8-5.5V 1 MHz ?
Temp.
Ranges
I
I, E
I
This device is capable of both random and sequential
reads. Reads may be sequential within address
boundaries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.
Functional address lines allow up to four devices on the
same data bus. This allows for up to 4 Mbits total
system EEPROM memory. This device is available in
the standard 8-pin PDIP, SOIC and SOIJ packages.
100 kHz for V CC < 2.5V
?
*100 kHz for V CC <4.5V, E-temp
? 400 kHz for V CC < 2.5V
Features:
? Low-Power CMOS Technology:
- Read current 450 ? A, maximum
- Standby current 5 ? A, maximum
Package Type
PDIP
NC
A1
A2
V SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V CC
WP
SCL
SDA
? 2-Wire Serial Interface, I 2 C? Compatible
? Cascadable up to Four Devices
? Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression
? Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce
SOIJ/SOIC
NC
A1
1
2
8
7
V CC
WP
? 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility
? 1 MHz Clock for FC Versions
? Page Write Time 3 ms, typical
A2
V SS
3
4
6
5
SCL
SDA
? Self-Timed Erase/Write Cycle
? 128-Byte Page Write Buffer
? Hardware Write-Protect
Block Diagram
? ESD Protection >400V
? More than 1 Million Erase/Write Cycles
A1 A2
WP
HV Generator
? Data Retention >200 Years
? Factory Programming Available
? Packages include 8-lead PDIP, SOIJ and SOIC
I/O
Control
Logic
Memory
Control
Logic
XDEC
EEPROM
Array
? Pb-Free and RoHS Compliant
Page Latches
? Temperature Ranges:
- Industrial (I): -40 ? C to +85 ? C
- Automotive (E): -40 ? C to +125 ? C
Description:
The Microchip Technology Inc. 24AA1026/24LC1026/
24FC1026 (24XX1026*) is a 128K x 8 (1024K bit)
I/O
SDA
V CC
V SS
SCL
YDEC
Sense AMP
R/W Control
Serial Electrically Erasable PROM, capable of
operation across a broad voltage range (1.7V to 5.5V).
It has been developed for advanced, low-power
applications such as personal communications or data
acquisition. This device has both byte write and page
write capability of up to 128 bytes of data.
? 2011-2012 Microchip Technology Inc.
*24XX1026 is used in this document as a generic part number
for the 24AA1026/24LC1026/24FC1026 devices.
DS22270C-page 1
相关PDF资料
PDF描述
24LC1026-I/SM IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-SOIJ
SST39VF3201-70-4C-EKE IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP
SST25VF064C-80-4I-Q2AE IC FLASH SER 64M 80MHZ SPI 8WSON
SST25VF064C-80-4I-SCE IC FLASH SER 64M DUAL I/O 16SOIC
SST25VF016B-50-4C-S2AF IC FLASH SER 16M 50MHZ SPI 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
24AA1026T 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1024K I2C? CMOS Serial EEPROM 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility
24AA1026T-I/SM 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 1.8V SER EE 128 BYTE PAGE RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
24AA1026T-I/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 1.8V SER EE 128 BYTE PAGE RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
24AA1026T-I/ST 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 1.8V SER EE 128 BYTE PAGE RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
24AA113 功能描述:整流器/与可变电容器 YELLOW 4.0-34 PFD RoHS:否 制造商:Xicon 电容范围:2.8 pF to 12.5 pF 容差: 电压额定值:200 V 工作温度范围:- 35 C to + 85 C 端接类型:SMD/SMT 产品:Trimmer Capacitors - Ceramic Dielectric
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