参数资料
| 型号： | 25A512-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 10MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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25A512
2.9
SECTOR ERASE
The SECTOR ERASE instruction will erase all bits
(FFh) inside the given sector. A Write Enable ( WREN )
instruction must be given prior to attempting a SECTOR
ERASE . This is done by setting CS low and then clock-
ing out the proper instruction into the 25A512. After all
eight bits of the instruction are transmitted, the CS
must be brought high to set the write enable latch.
The SECTOR ERASE instruction is entered by driving
CS low, followed by the instruction code (Figure 2-9)
and two address bytes. Any address inside the sector
to be erased is a valid address.
CS must then be driven high after the last bit of the
address or the SECTOR ERASE will not execute. Once
the CS is driven high the self-timed SECTOR ERASE
cycle is started. The WIP bit in the STATUS register
can be read to determine when the SECTOR ERASE
cycle is complete.
If a SECTOR ERASE instruction is given to an address
that has been protected by the Block Protect bits (BP0,
BP1) then the sequence will be aborted and no erase
will occur.
See Table 2-3 for Sector Addressing.
FIGURE 2-9:
CS
SECTOR ERASE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 11
2 1 2 2 2 3
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
1
0
0
0
0
1
0 15 14 13 12
2
1
0
High-Impedance
SO
DS22237C-page 16
Preliminary
? 2010-2011 Microchip Technology Inc.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| 25A512IST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25A512T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64K X 8 1.8V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25A512T-I/ST | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64K X 8 1.8V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25A512TISN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25A512TIST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
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