参数资料
| 型号： | 25AA040-I/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 1MHZ 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 1MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
| 工具箱： | SEEPROM1-KIT-ND - KIT LOW-DENSITY SERIAL EEPROM |
25AA040/25LC040/25C040
3.4
Write Enable (WREN) and Write
Disable (WRDI)
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
The 25XX040 contains a write enable latch. See
Table 3-3 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
FIGURE 3-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE
CS
?
?
?
?
?
Power-up
WRDI instruction successfully executed
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
WP line is low
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
High-impedance
SO
FIGURE 3-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-impedance
SO
? 2006 Microchip Technology Inc.
DS21204E-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25C040/P | IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8DIP |
| 93C76C-I/SN | IC EEPROM 8KBIT 3MHZ 8SOIC |
| 25AA080B-I/P | IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8DIP |
| SST25VF512A-33-4I-SAE-T | IC FLASH SER 512KB 33MHZ 8SOIC |
| SST25VF512A-33-4C-SAE-T | IC FLASH SER 512KB 33MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25AA040-ISN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPI Serial EEPROM |
| 25AA040N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| 25AA040-P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPI Serial EEPROM |
| 25AA040-SN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPI Serial EEPROM |
| 25AA040ST | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。