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参数资料
| 型号： | 25AA040AT-I/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SER 4K 512X8 8TDFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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25AA040A/25LC040A
BLOCK DIAGRAM
STATUS
Register
HV Generator
I/O Control
Logic
Memory
Control
Logic
X
Dec
EEPROM
Array
Page Latches
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
TABLE 2-1:
Y Decoder
Sense Amp.
R/W Control
V CC
V SS
INSTRUCTION SET
Instruction Name
READ
WRITE
WRDI
WREN
RDSR
WRSR
Instruction Format
0000 A 8 011
0000 A 8 010
0000 x100
0000 x110
0000 x101
0000 x001
Description
Read data from memory array beginning at selected address
Write data to memory array beginning at selected address
Reset the write enable latch (disable write operations)
Set the write enable latch (enable write operations)
Read STATUS register
Write STATUS register
Note:
A 8 is the
9 th
address bit, which is used to address the entire 512 byte array.
x = don’t care.
FIGURE 2-1:
CS
READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 1 1 12 13 1 4 1 5 1 6 17 1 8 1 9 2 0 2 1 22 2 3
SCK
Instruction+Address MSb
Lower Address Byte
SI
0
0
0
0
A 8 0
1
1 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21827G-page 7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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