参数资料
| 型号： | 25C080-E/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 3MHZ 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
25AA080/25LC080/25C080
3.7
Data Protection
3.8
Power-On State
The following protection has been implemented to
prevent inadvertent writes to the array:
? The write enable latch is reset on power-up
? A WRITE ENABLE instruction must be issued to
set the write enable latch
? After a byte write, page write or Status register
write, the write enable latch is reset
? CS must be set high after the proper number of
clock cycles to start an internal write cycle
? Access to the array during an internal write cycle
is ignored and programming is continued
The 25XX080 powers on in the following state:
? The device is in low-power Standby mode
(CS = 1 )
? The write enable latch is reset
? SO is in high-impedance state
? A high-to-low level transition on CS is required to
enter active state
TABLE 3-3:
WRITE-PROTECT FUNCTIONALITY MATRIX
WPEN
X
0
1
X
WP
X
X
Low
High
WEL
0
1
1
1
Protected Blocks
Protected
Protected
Protected
Protected
Unprotected Blocks
Protected
Writable
Writable
Writable
Status Register
Protected
Writable
Protected
Writable
DS21230D-page 12
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF040B-80-4I-SAE-T | IC FLASH SER 4MB 80MHZ SPI 8SOIC |
| 24LC128T-E/MF | IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8DFN |
| XCV100E-7PQ240I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 240-PQFP |
| XC6SLX100T-N3FGG676C | IC FPGA SPARTAN-6 676FBGA |
| 24LC128-E/MF | IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25C080-I/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25C080-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25C080PDRE | 制造商:MICRO 功能描述:* |
| 25C080T/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25C080T-E | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K SPI Bus Serial EEPROM |
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