参数资料
型号: 25C080-E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 14/22页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 8KBIT 3MHZ 8SOIC
标准包装: 100
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 8K (1K x 8)
速度: 3MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
25AA080/25LC080/25C080
8-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)
E1
D
2
n
E
1
α
A
A2
β
eB
c
Units
A1
INCHES*
B1
B
p
MILLIMETERS
L
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
8
.100
8
2.54
Top to Seating Plane
Molded Package Thickness
A
A2
.140
.115
.155
.130
.170
.145
3.56 3.94
2.92 3.30
4.32
3.68
Base to Seating Plane
A1
.015
0.38
Shoulder to Shoulder Width
Molded Package Width
Overall Length
Tip to Seating Plane
Lead Thickness
Upper Lead Width
Lower Lead Width
E
E1
D
L
c
B1
B
.300
.240
.360
.125
.008
.045
.014
.313
.250
.373
.130
.012
.058
.018
.325
.260
.385
.135
.015
.070
.022
7.62 7.94
6.10 6.35
9.14 9.46
3.18 3.30
0.20 0.29
1.14 1.46
0.36 0.46
8.26
6.60
9.78
3.43
0.38
1.78
0.56
Overall Row Spacing
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
§
eB
α
β
.310
5
5
.370
10
10
.430
15
15
7.87 9.40
5 10
5 10
10.92
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-001
Drawing No. C04-018
DS21230D-page 14
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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参数描述
25C080-I/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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25C080PDRE 制造商:MICRO 功能描述:*
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25C080T-E 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K SPI Bus Serial EEPROM