参数资料
型号: 25C160-E/P
厂商: Microchip Technology
文件页数: 14/22页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 16KBIT 3MHZ 8DIP
标准包装: 60
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 16K (2K x 8)
速度: 3MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
25AA160/25LC160/25C160
8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 150 mil (SOIC)
E
E1
p
D
2
B
n
1
c
45 °
h
φ
A
α
A2
β
Units
L
INCHES*
A1
MILLIMETERS
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
8
.050
8
1.27
Overall Height
Molded Package Thickness
Standoff §
Overall Width
Molded Package Width
Overall Length
Chamfer Distance
Foot Length
A
A2
A1
E
E1
D
h
L
.053
.052
.004
.228
.146
.189
.010
.019
.061
.056
.007
.237
.154
.193
.015
.025
.069
.061
.010
.244
.157
.197
.020
.030
1.35
1.32
0.10
5.79
3.71
4.80
0.25
0.48
1.55
1.42
0.18
6.02
3.91
4.90
0.38
0.62
1.75
1.55
0.25
6.20
3.99
5.00
0.51
0.76
Foot Angle
φ
0
4
8
0 4
8
Lead Thickness
Lead Width
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
c
B
α
β
.008
.013
0
0
.009
.017
12
12
.010
.020
15
15
0.20
0.33
0
0
0.23
0.42
12
12
0.25
0.51
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-012
Drawing No. C04-057
DS21231D-page 14
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料
PDF描述
24LC256T-E/SM IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOIC
24LC256-E/SM IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOIC
SST25VF040B-80-4I-S2AE-T IC FLASH SER 4MB 80MHZ SPI 8SOIC
SST25LF020A-33-4I-QAE IC FLASH SER 2MB 33HZ SPI 8WSON
SST25VF020-20-4I-QAE IC FLASH SER 2MB 20MHZ SPI 8WSON
相关代理商/技术参数
参数描述
25C160-I/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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25C160T-/P 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K SPI Bus Serial EEPROM
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