参数资料
| 型号： | 25LC010A-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (128 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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25AA010A/25LC010A
2.6
Write Status Register Instruction
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
( WRSR )
The Write Status Register instruction ( WRSR ) allows the
user to write to the nonvolatile bits in the STATUS
register as shown in Table 2-2. See Figure 2-7 for the
WRSR timing sequence. Four levels of protection for the
array are selectable by writing to the appropriate bits in
the STATUS register. The user has the ability to write-
protect none, one, two or all four of the segments of the
array as shown in Table 2-3.
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Array Addresses
Write-Protected
none
upper 1/4
(60h-7Fh)
upper 1/2
(40h-7Fh)
all
(00h-7Fh)
FIGURE 2-7:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS Register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
Note:
An internal write cycle (T WC ) is initiated on the rising edge of CS after a valid write STATUS register
sequence.
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21832G-page 11
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PDF描述 |
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