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参数资料
| 型号： | 25LC020AT-E/OT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 10MHZ SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 25LC020AT-E/OTDKR |
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25AA020A/25LC020A
2.6
Write Status Register Instruction
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
( WRSR )
The Write Status Register instruction ( WRSR ) allows
the user to write to the nonvolatile bits in the STATUS
register as shown in Table 2-2. See Figure 2-7 for the
WRSR timing sequence. Four levels of protection for
the array are selectable by writing to the appropriate
bits in the STATUS register. The user has the ability to
write-protect none, one, two, or all four of the
segments of the array as shown in Table 2-3.
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Array Addresses
Write-Protected
none
upper 1/4
(C0h-FFh)
upper 1/2
(80h-FFh)
all
(00h-FFh)
FIGURE 2-7:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
Note:
An internal write cycle (T WC ) is initiated on the rising edge of CS after a valid write STATUS register
sequence.
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21833F-page 11
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PDF描述 |
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| 25LC020AT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC020AT-I/OT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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