参数资料
| 型号： | 25LC040A-I/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 10MHZ 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
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25AA040A/25LC040A
BLOCK DIAGRAM
STATUS
Register
HV Generator
I/O Control
Logic
Memory
Control
Logic
X
Dec
EEPROM
Array
Page Latches
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
TABLE 2-1:
Y Decoder
Sense Amp.
R/W Control
V CC
V SS
INSTRUCTION SET
Instruction Name
READ
WRITE
WRDI
WREN
RDSR
WRSR
Instruction Format
0000 A 8 011
0000 A 8 010
0000 x100
0000 x110
0000 x101
0000 x001
Description
Read data from memory array beginning at selected address
Write data to memory array beginning at selected address
Reset the write enable latch (disable write operations)
Set the write enable latch (enable write operations)
Read STATUS register
Write STATUS register
Note:
A 8 is the
9 th
address bit, which is used to address the entire 512 byte array.
x = don’t care.
FIGURE 2-1:
CS
READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 1 1 12 13 1 4 1 5 1 6 17 1 8 1 9 2 0 2 1 22 2 3
SCK
Instruction+Address MSb
Lower Address Byte
SI
0
0
0
0
A 8 0
1
1 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21827G-page 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 25LC040AT-E/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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